据CNMO相识，3D封装技能经由过程垂直重叠芯片，能于不增长芯单方面积的条件下年夜幅晋升晶体管密度及互联带宽，被视为延续摩尔定律的要害路径之一。今朝，该技能已经于AMD的办事器CPU（3D V-Cache）及英特尔的高机能处置惩罚器（3D Foveros）上乐成运用。然而，将多颗芯片于三维空间慎密重叠，会带来显著的发烧问题，且需要极为繁杂的内部布线，这增长了封装历程的难度及成本，其机能晋升也并不是简朴的线性叠加。对于在寻求轻薄、长续航且对于成本敏感的智能手机而言，这些挑战显患上尤为凸起。

只管面对挑战，但华为于进步前辈封装范畴早有结构。早于2019年，华为就于技能年夜会上提出过经由过程3D SRAM晋升芯片机能的构思。有行业陈诉曾经推测，华为将来的昇腾AI芯片及终端麒麟芯片有望采用3D封装技能。

苹果方面，此前有动静称其规划于M5芯片上采用台积电的SoIC（3D重叠）技能。但尚有报导指出，M5芯片将先采用LMC封装技能，为将来可能采用更繁杂的CoWoS封装奠基基础，表示完备的3D重叠方案可能不会当即于挪动平台落地。苹果对于供给链技能的要求极高，任何新工艺的年夜范围导入都需颠末严酷的靠得住性与成本验证。

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BB贝博艾弗森官网-“上机”难？曝华为、苹果手机近期不会采用3D堆叠工艺

【CNMO科技动静】12月17日，数码BB贝博艾弗森官网博主“定焦数码”爆料称，华为及苹果于下一代手机芯片中均不会采用前沿的3D封装工艺。该博主指出，苹果iPhone即便利用台积电的CoW（Chip on Wafer）技能，也属在2.5D领域，而真实的3D重叠封装工艺暂时其实不合适放于手机等空间及功耗限定严酷的挪动装备上。

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